ROHM Semiconductor R6020KNZ4C13
MOSFET N 沟道 600V 20A TO247
制造商型号 :R6020KNZ4C13
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :06E093-DS
数据文档 :
R6020KNZ4C13 数据文档
R6020KNZ4C13 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 600V 20A TO247 TO-247-3
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 38.327200 | ￥ 38.33 |
| 10+ | ￥ 21.080600 | ￥ 210.81 |
| 50+ | ￥ 18.971900 | ￥ 948.6 |
| 100+ | ￥ 14.875900 | ￥ 1487.59 |
| 500+ | ￥ 14.613900 | ￥ 7306.95 |
库存: 1918
起订量 :1
包装 :TO-247-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 38.3272
合计 :￥ 38.33
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-247
- 功率耗散（最大）:231W（铊）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):600 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:20A（热电阻）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:196毫欧姆@9.5A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:5伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 40 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1550 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
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