ROHM Semiconductor RGCL60TS60DGC11
IGBT 沟道场 600V 48A TO247N
制造商型号 :RGCL60TS60DGC11
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :F05522-DS
数据文档 :
RGCL60TS60DGC11 数据文档
RGCL60TS60DGC11 数据文档客户# :
描述 : IGBT 沟道场 600V 48A TO247N TO-247-3 Bulk
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 20.767500 | ￥ 20.77 |
| 10+ | ￥ 17.444700 | ￥ 174.45 |
| 250+ | ￥ 15.975000 | ￥ 3993.75 |
| 450+ | ￥ 13.738500 | ￥ 6182.33 |
库存: 1846
起订量 :1
包装 :TO-247-3 Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 20.7675
合计 :￥ 20.77
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:不适用于新设计
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:111 瓦
- 供应商器件封装:TO-247N
- 反向恢复时间 (trr):58纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:四十八
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:600 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:1.8V @ 15V，30A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):120 一
- 转换能源:770µJ（开启），1.11mJ（关闭）
- 栅极电荷:68 纳克
- Td（开/关）@25° C:44纳秒/186纳秒
- 测试条件:400V，30A，10欧姆，15V
- 基本产品编号:RGCL60
- 包装:大部分
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