ROHM Semiconductor RGTH80TK65DGC11
IGBT 沟道场 650V 31A TO3PFM
制造商型号 :RGTH80TK65DGC11
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :5FE73B-DS
数据文档 :
RGTH80TK65DGC11 数据文档
RGTH80TK65DGC11 数据文档客户# :
描述 : IGBT 沟道场 650V 31A TO3PFM TO-3PFM, SC-93-3 Tube
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 54.493900 | ￥ 54.49 |
| 10+ | ￥ 16.332800 | ￥ 163.33 |
| 30+ | ￥ 13.508500 | ￥ 405.26 |
| 50+ | ￥ 12.946100 | ￥ 647.31 |
| 100+ | ￥ 12.518000 | ￥ 1251.8 |
库存: 1950
起订量 :1
包装 :TO-3PFM, SC-93-3 Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 54.4939
合计 :￥ 54.49
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 安装类型:通孔
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:66 瓦
- 供应商器件封装:TO-3PFM
- 反向恢复时间 (trr):58纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:三十一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.1V @ 15V，40A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):160 一
- 栅极电荷:79 纳克
- Td（开/关）@25° C:34纳秒/120纳秒
- 测试条件:400V，40A，10欧姆，15V
- 基本产品编号:RGTH80
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