ROHM Semiconductor RH6L040BGTB1
NCH 60V 65A，HSMT8，功率 MOSFET
制造商型号 :RH6L040BGTB1
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :2B847A-DS
数据文档 :
RH6L040BGTB1 数据文档
RH6L040BGTB1 数据文档客户# :
描述 : NCH 60V 65A，HSMT8，功率 MOSFET 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 25.195800 | ￥ 25.2 |
| 10+ | ￥ 7.757500 | ￥ 77.58 |
| 50+ | ￥ 4.364400 | ￥ 218.22 |
| 100+ | ￥ 3.942600 | ￥ 394.26 |
| 300+ | ￥ 3.661500 | ￥ 1098.45 |
库存: 25200
起订量 :1
包装 :8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 25.1958
合计 :￥ 25.20
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8 电源 VDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:8-HSMT（3.2x3）
- 功率耗散（最大）:2W（温度特性），59W（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:40A（钽）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:40A、10V 时为 7.1 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 18.8 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1320 pF @ 30 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:RH6L040
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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