ROHM Semiconductor RRS070N03TB1
MOSFET N 沟道 30V 7A 8SOP
制造商型号 :RRS070N03TB1
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :E9390F-DS
数据文档 :
RRS070N03TB1 数据文档
RRS070N03TB1 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 30V 7A 8SOP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:8-标准操作程序
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:7A（塔）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:28 毫欧 @ 7A，10V
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5 V 时为 11.6 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时 900pF
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