ROHM Semiconductor RSR010N10TL
MOSFET N 沟道 100V 1A TSMT3
制造商型号 :RSR010N10TL
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :BCE48F-DS
数据文档 :
RSR010N10TL 数据文档
RSR010N10TL 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 100V 1A TSMT3 SC-96 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.217400 | ￥ 4.22 |
| 10+ | ￥ 3.629500 | ￥ 36.3 |
| 100+ | ￥ 2.512000 | ￥ 251.2 |
| 500+ | ￥ 2.099500 | ￥ 1049.75 |
| 1000+ | ￥ 1.786400 | ￥ 1786.4 |
库存: 3600
起订量 :1
包装 :SC-96 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.2174
合计 :￥ 4.22
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:不适用于新设计
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:SC-96
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TSMT3
- 功率耗散（最大）:540毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):100 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:1A（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:520 毫欧 @ 1A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5 V 时 3.5 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:140 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:RSR010
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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