ROHM Semiconductor RUC002N05HZGT116
MOSFET N 沟道 50V 200MA SST3
制造商型号 :RUC002N05HZGT116
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :92AC8F-DS
数据文档 :
RUC002N05HZGT116 数据文档
RUC002N05HZGT116 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 50V 200MA SST3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.533600 | ￥ 1.53 |
| 10+ | ￥ 1.041600 | ￥ 10.42 |
| 100+ | ￥ 0.453700 | ￥ 45.37 |
| 1000+ | ￥ 0.313100 | ￥ 313.1 |
| 3000+ | ￥ 0.255600 | ￥ 766.8 |
库存: 16242
起订量 :1
包装 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:海表温度3
- 功率耗散（最大）:350毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):50 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:200 毫安（Ta）
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1伏@1毫安
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时为 25pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:1.2V、4.5V
- 电压 (最大值):±8V
- 系列:汽车、AEC-Q101
- 基本产品编号:RUC002
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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