ROHM Semiconductor SCT3120AW7TL
SICFET N 沟道 650V 21A TO263-7
制造商型号 :SCT3120AW7TL
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :3EAC53-DS
数据文档 :
SCT3120AW7TL 数据文档
SCT3120AW7TL 数据文档客户# :
描述 : SICFET N 沟道 650V 21A TO263-7 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 69.887400 | ￥ 69.89 |
| 5+ | ￥ 40.199500 | ￥ 201 |
| 10+ | ￥ 36.486900 | ￥ 364.87 |
| 30+ | ￥ 34.014000 | ￥ 1020.42 |
| 50+ | ￥ 33.521900 | ￥ 1676.1 |
库存: 9738
起订量 :1
包装 :TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 69.8874
合计 :￥ 69.89
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-263-8，D²Pak（7 根引线 + 接片），TO-263CA
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 供应商器件封装:TO-263-7
- 功率耗散（最大）:100 瓦
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):650 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:21A（钬）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:156 毫欧 @ 6.7A，18V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:[email protected]
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:18V 时 38 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:500V 时 460pF
- 电压 (最大值):+22 伏、 -4 伏
- 基本产品编号:SCT3120
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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