ROHM Semiconductor UMT18NTR
PNP+PNP 低 VCE(SAT) 晶体管
制造商型号 :UMT18NTR
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :EBA8F4-DS
数据文档 :
UMT18NTR 数据文档
UMT18NTR 数据文档客户# :
描述 : PNP+PNP 低 VCE(SAT) 晶体管 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 2.619900 | ￥ 2.62 |
| 10+ | ￥ 2.223700 | ￥ 22.24 |
| 100+ | ￥ 1.546400 | ￥ 154.64 |
| 500+ | ￥ 1.201300 | ￥ 600.65 |
| 1000+ | ￥ 0.977700 | ￥ 977.7 |
库存: 6889
起订量 :1
包装 :6-TSSOP, SC-88, SOT-363
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 2.6199
合计 :￥ 2.62
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- 类型:分立半导体器件/预偏置双极晶体管阵列
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 封装/箱体:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 功率 - 最大:150毫瓦
- 供应商器件封装:UMT6
- 晶体管类型:PNP（双）
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:500毫安
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:12伏
- Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic:250mV@10mA、200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100纳安（电流导通电阻）
- 直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce:270 @ 10 毫安，2 伏
- 频率 - 过渡:260兆赫
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