STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
357W 115A 650V 沟槽场截止 TO-247 IGBT
制造商型号 :STGWA75H65DFB2
制造商 :STMicroelectronics
达森型号 :1D00ED-DS
数据文档 :
STGWA75H65DFB2 数据文档
STGWA75H65DFB2 数据文档客户# :
描述 : 357W 115A 650V 沟槽场截止 TO-247 IGBT TO-247
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 9.386900 | ￥ 9.39 |
| 10+ | ￥ 8.760700 | ￥ 87.61 |
| 100+ | ￥ 8.134500 | ￥ 813.45 |
| 1000+ | ￥ 7.821400 | ￥ 7821.4 |
| 10000+ | ￥ 7.572200 | ￥ 75722 |
库存: 29085
起订量 :1
包装 :TO-247
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 9.3869
合计 :￥ 9.39
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:357 瓦
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 反向恢复时间 (trr):88纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:115 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2伏@15伏，75安
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):225 一
- 转换能源:1.428mJ（开启），1.05mJ（关闭）
- 栅极电荷:207 纳克
- Td（开/关）@25° C:28纳秒/100纳秒
- 测试条件:400V，75A，2.2欧姆，15V
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