Texas Instruments CSD22206W
-8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、栅极 ESD 保护
制造商型号 :CSD22206W
制造商 :Texas Instruments
达森型号 :26A7C7-DS
数据文档 :
CSD22206W 数据文档
CSD22206W 数据文档客户# :
描述 : -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、栅极 ESD 保护 9-UFBGA, DSBGA
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.600800 | ￥ 4.6 |
| 10+ | ￥ 3.949000 | ￥ 39.49 |
| 100+ | ￥ 2.728500 | ￥ 272.85 |
| 500+ | ￥ 2.274800 | ￥ 1137.4 |
| 1000+ | ￥ 2.051200 | ￥ 2051.2 |
库存: 12729
起订量 :1
包装 :9-UFBGA, DSBGA
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:9-UFBGA，DSBGA
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:9. DSBGA
- 功率耗散（最大）:1.7瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):8 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:5A（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:5.7毫欧姆@2A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.05V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时为 14.6 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2275 pF（4 V 时）
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:2.5伏、4.5伏
- 电压 (最大值):-6伏
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