Toshiba GT30N135SRA,S1E
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
制造商型号 :GT30N135SRA,S1E
制造商 :Toshiba
达森型号 :7A4A1B-DS
数据文档 :
GT30N135SRA,S1E 数据文档
GT30N135SRA,S1E 数据文档客户# :
描述 : D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A TO-247-3
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 31.247100 | ￥ 31.25 |
| 10+ | ￥ 20.339400 | ￥ 203.39 |
| 30+ | ￥ 31.247100 | ￥ 937.41 |
| 120+ | ￥ 13.923300 | ￥ 1670.8 |
| 270+ | ￥ 12.569600 | ￥ 3393.79 |
库存: 10917
起订量 :1
包装 :TO-247-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 31.2471
合计 :￥ 31.25
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:348 瓦
- 供应商器件封装:TO-247
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:60 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:1350 伏
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.6V@15V，60A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):120 一
- 转换能源:-, 1.3mJ (关闭)
- 栅极电荷:270 纳克
- 测试条件:300V，60A，39欧姆，15V
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