Toshiba SSM3J46CTB(TPL3)
MOSFET P 通道 20V 2A CST3B
制造商型号 :SSM3J46CTB(TPL3)
制造商 :Toshiba
达森型号 :928475-DS
数据文档 :
SSM3J46CTB(TPL3) 数据文档
SSM3J46CTB(TPL3) 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P 通道 20V 2A CST3B 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.202700 | ￥ 12.03 |
| 10000+ | ￥ 0.601400 | ￥ 6014 |
| 30000+ | ￥ 0.592100 | ￥ 17763 |
| 50000+ | ￥ 0.556600 | ￥ 27830 |
| 100000+ | ￥ 0.547400 | ￥ 54740 |
库存: 44
起订量 :1
包装 :3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.2027
合计 :￥ 1.20
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:3-SMD，无引线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:CST3B
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):20 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:2A（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.5A、4.5V 时为 103 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.7 纳克 @ 4.5 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时为 290pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:1.5伏、4.5伏
- 电压 (最大值):±8V
- 系列:金属氧化物半导体场
- 基本产品编号:SSM3J46
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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