Toshiba SSM3K315T(TE85L,F)
MOSFET N 沟道 30V 6A TSM
制造商型号 :SSM3K315T(TE85L,F)
制造商 :Toshiba
达森型号 :A6CFA8-DS
数据文档 :
SSM3K315T(TE85L,F) 数据文档
SSM3K315T(TE85L,F) 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 30V 6A TSM TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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包装 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:台湾半导体公司
- 功率耗散（最大）:700毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:6A（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4A、10V 时为 27.6 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10.1 纳克@10 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15V 时 450pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:U-MOSIV
- 基本产品编号:SSM3K315
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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