Toshiba SSM3K339R,LF
MOSFET N 沟道 40V 2A SOT-23F
制造商型号 :SSM3K339R,LF
制造商 :Toshiba
达森型号 :272744-DS
数据文档 :
SSM3K339R,LF 数据文档
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客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 40V 2A SOT-23F SOT-23-3 Flat Leads
价格 (¥) : *申请价格,请点击发送目标价按钮
数量 | 单价 | 合计 |
1+ | ¥ 2.747700 | ¥ 2.75 |
10+ | ¥ 2.064000 | ¥ 20.64 |
100+ | ¥ 1.163000 | ¥ 116.3 |
1000+ | ¥ 0.587900 | ¥ 587.9 |
3000+ | ¥ 0.511200 | ¥ 1533.6 |
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C(高温)
- 封装/箱体:SOT-23-3 扁平引线
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 供应商器件封装:SOT-23F
- 功率耗散(最大):1W(功耗)
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):40 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:2A(Ta)
- Rds On(最大值)@ Id、 Vgs:185毫欧@1A,8V
- Vgs(th)(最大值)@ Id:1.2V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.2 V 时为 1.1 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时为 130pF
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):1.8伏、8伏
- 电压 (最大值):±12V
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