Toshiba SSM6L56FE,LM
小信号 MOSFET 2 合 1 NCH +
制造商型号 :SSM6L56FE,LM
制造商 :Toshiba
达森型号 :26D80D-DS
数据文档 :
SSM6L56FE,LM 数据文档
SSM6L56FE,LM 数据文档客户# :
描述 : 小信号 MOSFET 2 合 1 NCH + SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.661400 | ￥ 1.66 |
| 10+ | ￥ 1.079900 | ￥ 10.8 |
| 100+ | ￥ 0.492000 | ￥ 49.2 |
| 1000+ | ￥ 0.402600 | ￥ 402.6 |
| 4000+ | ￥ 0.357800 | ￥ 1431.2 |
库存: 13887
起订量 :1
包装 :SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.6614
合计 :￥ 1.66
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:SOT-563, SOT-666
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:150毫瓦（功耗）
- 供应商器件封装:ES6
- 配置:N 和 P 沟道
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门，1.5V 驱动
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:800 毫安（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:800mA、4.5V 时为 235 毫欧，800mA、4.5V 时为 390 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时 1nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:55pF @ 10V，100pF @ 10V
- 基本产品编号:SSM6L56
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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