Toshiba TK16A60W,S4VX
MOSFET N 沟道 600V 15.8A TO220SIS
制造商型号 :TK16A60W,S4VX
制造商 :Toshiba
达森型号 :0AFCCC-DS
数据文档 :
TK16A60W,S4VX 数据文档
TK16A60W,S4VX 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 600V 15.8A TO220SIS TO-220-3 Full Pack Tube
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 17.700300 | ￥ 17.7 |
| 10+ | ￥ 15.719400 | ￥ 157.19 |
| 100+ | ￥ 14.121900 | ￥ 1412.19 |
| 250+ | ￥ 11.693700 | ￥ 2923.43 |
| 500+ | ￥ 9.840600 | ￥ 4920.3 |
库存: 1687
起订量 :1
包装 :TO-220-3 Full Pack Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 17.7003
合计 :￥ 17.70
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-220-3 全封装
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-220SIS
- 功率耗散（最大）:40 瓦（热阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):600 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:15.8A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:190 毫欧 @ 7.9A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3.7V @ 790µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 38 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1350 pF @ 300 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±30V
- 系列:DTMOS
- 基本产品编号:TK16A60
- 包装:管子
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