Toshiba TK7A90E,S4X
MOSFET N 沟道 900V 7A TO220SIS
制造商型号 :TK7A90E,S4X
制造商 :Toshiba
达森型号 :35D43B-DS
数据文档 :
TK7A90E,S4X 数据文档
TK7A90E,S4X 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 900V 7A TO220SIS TO-220-3 Full Pack Tube
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 50+ | ￥ 6.454600 | ￥ 322.73 |
| 100+ | ￥ 6.106000 | ￥ 610.6 |
| 200+ | ￥ 5.756700 | ￥ 1151.34 |
| 300+ | ￥ 5.408100 | ￥ 1622.43 |
| 400+ | ￥ 5.058800 | ￥ 2023.52 |
库存: 1757
起订量 :1
包装 :TO-220-3 Full Pack Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 6.4546
合计 :￥ 6.45
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-220-3 全封装
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-220SIS
- 功率耗散（最大）:45瓦（热阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):900 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:7A（塔）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:2欧姆@3.5A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 700µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 32 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1350 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±30V
- 系列:π-MOSVIII
- 基本产品编号:TK7A90
- 包装:管子
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