Toshiba TPC8065-H,LQ(S
MOSFET N 沟道 30V 13A 8SOP
制造商型号 :TPC8065-H,LQ(S
制造商 :Toshiba
达森型号 :D9E478-DS
数据文档 :
TPC8065-H,LQ(S 数据文档
TPC8065-H,LQ(S 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 30V 13A 8SOP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 8.163600 | ￥ 81.64 |
| 2500+ | ￥ 5.442200 | ￥ 13605.5 |
| 5000+ | ￥ 5.183000 | ￥ 25915 |
| 12500+ | ￥ 4.943700 | ￥ 61796.25 |
| 25000+ | ￥ 4.784700 | ￥ 119617.5 |
库存: 23
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 8.1636
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:8-标准操作程序
- 功率耗散（最大）:1W（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:13A（塔）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6.5A、10V 时为 11.6 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.3V @ 200µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 20 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时为 1350pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:钼钒
- 基本产品编号:TPC8065
- 包装:卷带式 (TR)
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