Transphorm TP65H050WS
GaNFET N 沟道 650V 34A TO247-3
制造商型号 :TP65H050WS
制造商 :Transphorm
达森型号 :3AA87D-DS
数据文档 :
TP65H050WS 数据文档
TP65H050WS 数据文档客户# :
描述 : GaNFET N 沟道 650V 34A TO247-3 TO-247-3
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 95.913900 | ￥ 95.91 |
| 30+ | ￥ 66.537000 | ￥ 1996.11 |
库存: 1729
起订量 :1
包装 :TO-247-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 95.9139
合计 :￥ 95.91
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓场效应晶体管）
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 功率耗散（最大）:119W（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):650 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:34A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:60 毫欧 @ 22A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.8V @ 700µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 24 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1000 pF @ 400 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:12伏
- 电压 (最大值):±20V
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