Vishay Intertechnology SI5902BDC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
制造商型号 :SI5902BDC-T1-GE3
达森型号 :BF38DC-DS
数据文档 :
SI5902BDC-T1-GE3 数据文档
SI5902BDC-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 8.051400 | ￥ 8.05 |
| 10+ | ￥ 6.581700 | ￥ 65.82 |
| 100+ | ￥ 5.035300 | ￥ 503.53 |
| 500+ | ￥ 4.249400 | ￥ 2124.7 |
| 1000+ | ￥ 3.412300 | ￥ 3412.3 |
库存: 25926
起订量 :1
包装 :8-SMD, Flat Lead
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 8.0514
合计 :￥ 8.05
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:8-SMD，扁平引线
- 功率 - 最大:3.12瓦
- 供应商器件封装:1206-8 ChipFET™
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:65毫欧姆@3.1A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时 7nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:220pF@15V
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