Vishay Intertechnology SI7842DP-T1-GE3
MOSFET 2N 通道 30V 6.3A PPAK SO-8
制造商型号 :SI7842DP-T1-GE3
达森型号 :E57D3A-DS
数据文档 :
SI7842DP-T1-GE3 数据文档
SI7842DP-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N 通道 30V 6.3A PPAK SO-8 PowerPAK® SO-8 Dual
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| 数量 | 单价 | 合计 |
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包装 :PowerPAK® SO-8 Dual
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:PowerPAK® SO-8 双
- 功率 - 最大:1.4瓦
- 供应商器件封装:PowerPAK® SO-8 双
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:6.3A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:22 毫欧 @ 7.5A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时 20nC
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