Vishay Intertechnology SIZ730DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6 电源对
制造商型号 :SIZ730DT-T1-GE3
达森型号 :F3DE28-DS
数据文档 :
SIZ730DT-T1-GE3 数据文档
SIZ730DT-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 16A 6 电源对 6-PowerPair™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 14.271700 | ￥ 142.72 |
| 3000+ | ￥ 7.928600 | ￥ 23785.8 |
| 6000+ | ￥ 7.550900 | ￥ 45305.4 |
| 9000+ | ￥ 7.202200 | ￥ 64819.8 |
库存: 42
起订量 :1
包装 :6-PowerPair™ Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 14.2717
合计 :￥ 14.27
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:6-PowerPair™
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:27瓦，48瓦
- 供应商器件封装:6-PowerPair™
- 配置:N 沟道（半桥）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:16A、35A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:15A、10V 时为 9.3 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 24 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:830pF@15V
- 系列:TrenchFET®
- 基本产品编号:SIZ730
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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