Vishay Intertechnology SQJ992EP-T1_BE3
双 N 沟道 60V (DS) 175C M
制造商型号 :SQJ992EP-T1_BE3
达森型号 :C934F1-DS
数据文档 :
SQJ992EP-T1_BE3 数据文档
SQJ992EP-T1_BE3 数据文档客户# :
描述 : 双 N 沟道 60V (DS) 175C M PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 8.562600 | ￥ 8.56 |
| 10+ | ￥ 6.990700 | ￥ 69.91 |
| 100+ | ￥ 5.435100 | ￥ 543.51 |
| 500+ | ￥ 4.606500 | ￥ 2303.25 |
| 1000+ | ￥ 3.752400 | ￥ 3752.4 |
库存: 8970
起订量 :1
包装 :PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:PowerPAK® SO-8 双
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:34W（热电阻）
- 供应商器件封装:PowerPAK® SO-8 双
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:15A（热电偶）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:56.2 毫欧 @ 3.7A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 12nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:446pF @ 30V
- 系列:汽车、AEC-Q101、TrenchFET®
- 基本产品编号:SQJ992
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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